imec 把化合物半导体拼进硅片，为 AI 数据中心撬开 325GHz

想让 AI 数据中心里的数据跑得更快，光靠硅不够——比利时研究机构 imec 想把两种材料焊在一起。

三个关键信息

imec 在 6 月 11 日宣布，在 300 毫米硅中介层上实现了 III-V 芯粒与硅 CMOS 的系统级集成。 III-V 是磷化铟、砷化镓、氮化镓这类化合物半导体，跑高频信号是硅比不了的强项；难点从来是怎么把它们和成熟的硅工艺拼到一块。imec 用激光辅助键合把这件事做成了。

几个数字说明它不是实验室里的玩具。 新的 MIM 电容架构让电容密度比 III-V 上常见的片上电容高出 10 到 100 倍；43 个器件上的对准精度优于 600 纳米，旋转偏差小于 0.05 度。这种一致性，是从「做出一个」走向「量产一批」的前提。

射频性能被推到了 325GHz。 插入损耗的低点被拉到 325GHz，在 110 到 170GHz 区间反射低于 −15dB。imec 技术骨干 Xiao Sun 说，这个平台把性能、可扩展性和可制造性放到了一起，目标直指毫米波、亚太赫兹无线，以及超高速数据中心互连。

王斗视角

这条新闻里没有一家你熟的公司，没有股价，没有估值——但你天天用的每一个 AI 应用，最后都要在这种地方分胜负。大家盯着 GPU 数显卡数量，很少有人问：数据从一块芯片挪到另一块，快不快？imec 干的就是这件没人上头条的脏活——把两种脾气完全不同的材料，在 600 纳米的误差里对齐，还得能重复 43 次。等哪天某家大厂发布会上吹「延迟又降了」，台下鼓掌，真正让它降下来的，是几年前这类没人转发的论文。热闹归发布会，地基归实验室。

来源：imec — imec unlocks system-level III-V chiplet integration on Si-CMOS · eeNews Europe — Imec advances III-V chiplet integration with RF silicon interposer